John Battiscombe Gunn nació en el Cairo, Egipto, en 1928, hijo de padres ingleses, un importante egiptólogo llamado Battiscombe "Jack" Gunn y Lillian Frances, que estudió técnicas de psicoanálisis con Sigmun Freud. La familia volvió a Inglaterra en 1934 ya que Jack Gunn fue designado profesor de Egiptológica en Oxford.
John Gunn estudio en Inglaterra, excepto dos años que paso en Estados Unidos para huir de la Segunda Guerra Mundial y consiguió un titulo del Trinity College, de Cambridge. Trabajo en el Royal Radar Establishment de Malvern hasta que debido a la apertura de un profesorado de Física en la University of Brithis Columbia se mudó junto a su familia a Canadá. Más tarde aceptó una oferta de trabajo en el nuevo laboratorio de investigación de IBM en Yorktown permaneciendo en ese trabajo hasta 1990.
John Battiscombe Gunn recibió varios premios a lo largo de su carrera tales como el Morris Liebman Memorial Award de la IEEE en 1969, el premio John Scott de la ciudad de Philadelpia en 1971, la medalla de oro Valdemar Paulsen concedida por la academia Danesa de Ciencias Técnicas y fue elegido para la Academia Nacional de la Ingeniería en 1978 y mas tarde para la Academia Americana de las Artes y las Ciencias.
La Gran pasión de este científico fueron los vehículos, y en especial las motos, llegando a ser un gran coleccionista, restaurándolas en muchos casos el mismo con piezas compradas por el mismo, y compitiendo en diferentes carreras, llegando a ganar a la edad de 62 años la carrera de Novice Twin en Daytona, ganando a rivales que a los que triplicaba en edad, hazaña por la que salió en la revista Roadracing World.
John Gunn realizó varias contribuciones a la ciencia, como en el área de la lucha contra los virus informáticos en el lenguaje de programación APL, o en el área de mejorar la eficiencia de carburante de los vehículos. Pero es mundialmente conocido por su investigación del Efecto Gunn y la creación del Diodo Gunn. La investigación por parte de Gunn de los cálculos teóricos del profesor y científico británico Cyril Hilsum le llevaron a descubrir en 1963 el efecto Gunn, que es un instrumento eficaz para la generación de oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales semiconductores.
El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de la unión misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de voltaje y corriente y no es afectado por campos magnéticos. Este efecto Gunn sólo se da en materiales tipo N (material con exceso de electrones) y las oscilaciones se dan sólo cuando existe un campo eléctrico. Estas oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones necesitan para atravesar una plaquita de material tipo N cuando se aplica el voltaje en continua.
El diodo Gunn es un generador de microondas, formado por un semiconductor de dos terminales que utiliza el efecto Gunn. Cuando se aplica entre ánodo y cátodo una tensión continua de 7 V, de modo que el ánodo sea positivo con respecto al cátodo, la corriente que circula por el diodo es continua pero con unos impulsos superpuestos de hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en una cavidad resonante. De hecho, la emisión de microondas se produce cuando las zonas de campo eléctrico elevado se desplazan del ánodo al cátodo y del cátodo al ánodo en un constante viaje rapidísimo entre ambas zonas, lo que determina la frecuencia en los impulsos.
