Leo Esaki es un físico japonés. Estudió física en la Universidad de Tokio. Tras obtener la licenciatura en 1947, dirigió la investigación acerca del tunelamiento del electrón en sólidos sobre el año 1958. Más tarde, en 1960, se trasladó a Estados Unidos para incorporarse al Thomas J. Watson Research Center de IBM, donde adquirió la categoría de IBM Fellow (honor con el que la compañía recompensa a sus científicos más creativos) en 1967. Recibió, junto con Ivar Giaever y Brian David Josephson, el Premio Nobel de Física de 1973 por el descubrimiento del efecto túnel del electrón.
Fenómenos como la emisión de campo, vital para las memorias flash, son dilucidados cuánticamente a través de las consecuencias del efecto túnel. Este efecto también es un recurso para ampliar el escape en la electrónica de “Integración a Muy Altas Escalas” (VLSI) y resulta en el substancial poder de drenado y efecto de calentamiento que mina la tecnología móvil de alta velocidad.
Es también conocido por la invención del diodo de Esaki, que aprovechaba tal fenómeno. Es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se produce el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la característica corriente-tensión.La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilización como componente activo (amplificador/oscilador).
Dr. Esaki tiene títulos honoríficos de Doshisha Escuela (Japón), la Universidad Politécnica de Madrid (España), la Universidad de Montpellier (Francia), Kwansei Gakuin (Japón) y la Universidad de Atenas (Grecia). Dr. Esaki es director de IBM Japan, Ltd., en el Consejo de Administración de la IBM-Tokyo Research Laboratory. Un director de la Fundación Científica Yamada y la Fundación de Ciencia y Tecnología de Japón. Ha sido miembro de numerosos consejos científicos internacionales y comités de asesoramiento, y es profesor adjunto de la Universidad de Waseda, Japón.
